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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> BFR183W
BFR183W PDF预览

BFR183W

更新时间： 2024-02-24 04:32:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 60K
描述
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA)

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BFR183W 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.27
最大集电极电流 (IC)：0.065 A基于收集器的最大容量：0.7 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最小功率增益 (Gp)：18.5 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8000 MHz
Base Number Matches：1

BFR183W 数据手册

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BFR 183W  
NPN Silicon RF Transistor  
• For low noise, high-gain broadband amplifiers at  
collector current from 2 mA to 30mA  
• f = 8 GHz  
T
F = 1.2 dB at 900 MHz  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
BFR 183W RHs  
Q62702-F1493  
1 = B  
2 = E  
3 = C  
SOT-323  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
12  
20  
20  
2
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
I
I
65  
5
mA  
mW  
°C  
C
Base current  
B
Total power dissipation  
P
tot  
≤
T
56 °C  
450  
S
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
150  
j
- 65 ... + 150  
- 65 ... + 150  
A
stg  
Thermal Resistance  
1)  
≤
Junction - soldering point  
R
thJS  
210  
K/W  
1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.  
S
Semiconductor Group  
1
Dec-11-1996  
1234567

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BFR183W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BFR181WE6327 INFINEON

完全替代

 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
BFP420 INFINEON

完全替代

 NPN Silicon RF Transistor (For high gain low noise amplifiers For oscillators up to 10 GHz
BFP196W INFINEON

类似代替

 NPN Silicon RF Transistor(For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna an

与BFR183W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFR183W_07 INFINEON

获取价格

 		NPN Silicon RF Transistor
BFR183WE6327 INFINEON

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
BFR183WE6327 ROCHESTER

获取价格

 		UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BFR183W-E6433 INFINEON

获取价格

 		Transistor
BFR18-4P1 ITT

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 4 Contact(s), Male-Male
BFR18-4S1 ITT

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 4 Contact(s), Female-Female
BFR18-5P1 ITT

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 3 Contact(s), Male-Male
BFR18-5S1 ITT

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 3 Contact(s), Female-Female
BFR18-7P1 ITT

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 1 Contact(s), Male-Male
BFR18-7S1 ITT

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 1 Contact(s), Female-Female

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