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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 85 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDW48 | MOTOROLA |
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DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BDW48 | ISC |
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Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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| BDW51 | CENTRAL |
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Power Transistors |
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| BDW51 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| BDW51 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| BDW51A | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| BDW51A | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| BDW51A | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| BDW51ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| BDW51B | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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