BDW52

更新时间： 2024-11-04 06:41:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	203K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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BDW52 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.54
Base Number Matches：	1

BDW52 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BDW52/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -15A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -45V(Min)- BDW52; -60V(Min)- BDW52A

-80V(Min)- BDW52B; -100V(Min)- BDW52C

·Complement to Type BDW51/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for use in power linear and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-45

UNIT

BDW52

BDW52A

BDW52B

BDW52C

BDW52

-60

Collector-Base

Voltage

V_CBO

-80

-100

-45

BDW52A

BDW52B

BDW52C

-60

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

-15

-20

-7

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

125

200

-65~200

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.4

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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