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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDW51 | CENTRAL |
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Power Transistors |
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| BDW51 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| BDW51 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| BDW51A | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| BDW51A | CENTRAL |
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Power Transistors |
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| BDW51A | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| BDW51ALEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| BDW51B | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
|
| BDW51B | CENTRAL |
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Power Transistors |
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| BDW51B | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
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