BDV64A

更新时间： 2024-01-08 04:52:45

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COMSET		晶体晶体管功率双极晶体管
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4页	77K
描述
PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

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BDV64A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

BDV64A 数据手册

BDV64-A-B-C

PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

They are silicon epitaxial base transistors mounted in TO-3PN.

Theyare designed for audio output stages and general amplifier and switching applications.

complementary is BDV65-A-B-C

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDV64

-60

-80

-100

-120

-60

BDV64A

BDV64B

BDV64C

BDV64

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

BDV64A

BDV64B

BDV64C

BDV64

BDV64A

BDV64B

BDV64C

BDV64

BDV64A

BDV64B

BDV64C

BDV64

BDV64A

BDV64B

BDV64C

BDV64

-80

-100

-120

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-5.0

-12

-15

-0.5

I_CM

Collector Peak Current

Base Current

BDV64A

BDV64B

BDV64C

I_B

26/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

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