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BDV64B

更新时间： 2024-02-16 20:38:41

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	137K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BDV64B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

BDV64B 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BDV64/64A/64B/64C

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type BDV65/65A/65B/65C

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·For use in general purpose amplifier

applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

BDV64

BDV64A

BDV64B

BDV64C

BDV64

-80

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-100

-120

-60

BDV64A

BDV64B

BDV64C

-80

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-100

-120

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Collector current-peak

Base current

Open collector

-12

-15

-0.5

125

3.5

T_C=25ꢀ

T_a=25ꢀ

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

ꢀ

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDV64BG	ONSEMI	获取价格	Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons
BDV64BLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-218, Plasti
BDV64C	BOURNS	获取价格	PNP SILICON POWER DARLINGTONS
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