BD788

更新时间： 2024-01-09 04:19:20

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	151K
描述
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

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BD788 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-225
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-225	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

BD788 数据手册

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by BD787/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

. . . designed for lower power audio amplifier and low current, high–speed switching

applications.

4 AMPERE

POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARY

SILICON

•

Low Collector–Emitter Sustaining Voltage —

60 Vdc (Min) — BD787, BD788

CEO(sus)

High Current–Gain — Bandwidth Product —

= 50 MHz (Min) @ I = 100 mAdc

60 VOLTS

15 WATTS

Collector–Emitter Saturation Voltage Specified at 0.5, 1.0, 2.0 and 4.0 Adc

MAXIMUM RATINGS

BD787

BD788

Rating

Symbol

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

6.0

Collector Current — Continous

— Peak

4.0

8.0

Adc

CASE 77–08

TO–225AA TYPE

Base Current

1.0

Adc

Total Power Dissipation @ T = 25°C

Derate Above 25 C

0.12

Watts

W/ C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to +150

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

8.34

C/W

θJC

1.6

1.2

0.8

8.0

4.0

0.4

100

120

140

160

T, TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Power Derating

REV 7

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6

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