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BD795

更新时间: 2024-02-29 23:04:12
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 142K
描述
EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS

BD795 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最大集电极电流 (IC):8 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):65 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):3 MHz

BD795 数据手册

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