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BD7967EFS_07

更新时间： 2024-11-29 08:51:47

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罗姆 - ROHM		/
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描述
Silicon Monolithic Integrated Circuit

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BD7967EFS_07 数据手册

1/4

構

造

シリコンモノリシック集積回路

STRUCTURE

製品名

Silicon Monolithic Integrated Circuit

CD-ROM/DVD-ROM 用 5ch パワードライバ

5CH Power Driver for CD-ROM/DVD-ROM

BD7967EFS

PRODUCT SERIES

形

名

TYPE

BD7967EFS

特

長

・スピンドルドライバに PWM 駆動方式を採用し高効率ドライブが可能。

・PWM drive system is adopted to Spindle driver, and highly effective driver

can be achieved.

FUNCTION

・送りモータドライバ,ローディングドライバに

リニア BTL 方式を採用し低ノイズを実現。

・Linear BTL method is adopted to sled motor driver and Loading

driver block, and a low noise can be achieved.

・アクチュエータドライバに電流帰還型リニア BTL を採用し

負荷インダクタンスの影響による電流位相の遅れを低減。

・Current feedback type BTL is adopted to Actuator driver and delay of current

effected by load inductance can be reduced.

○絶対最大定格

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

項目 Parameter

記号 Symbol

SPV_M1,2

PreV_CC, V_MACT

SPV_CC

定格 Limits

15 ＊1

単位 Unit

POWER MOS 電源電圧 POWER MOS power supply voltage

プリ部/BTL パワー部電源電圧 Preblock/BTL powerblock power supply voltage

スピンドル部制御電源電圧 Spindle control block power supply voltage

許容損失 Power dissipation

2 ＊2

-40～90

-55～150

℃

動作温度範囲 Operating temperature range

Topr

保存温度範囲 Storage temperature range

Tstg

＊1 POWERMOS 出力端子 (10,12,13 PIN)を含む。 POWERMOS output terminals (10,12,13 PIN) is contained.

＊2 PCB（70mm×70mm×1.6mm、銅箔占有率 3％未満、ガラスエポキシ基板）実装時。Ta＝25℃以上で使用する場合は、1℃につき16.0mW を減じる。

PCB（70mm×70mm×1.6mm Less than copper foil share 3% glass epoxy）mounting. Reduce power by 16.0mW for each degree above 25℃.

○動作条件(Ta=-40～+85℃)

Operation condition (Ta=-40～+85℃)

（電源電圧に関しては、許容損失を考慮の上設定して下さい。Set the power supply voltage taking allowable dissipation into considering.）

項目 Parameter

記号 Symbol

SPVM1,2

PreVcc

最小 MIN

SPVCC

VMACT

4.5

標準 TYP

最大MAX

単位 Unit

パワーMOS 電源電圧１ Power MOS power supply voltage１

プリドライバ電源電圧 Preblock power supply voltage

パワードライバ電源電圧 Power block power supply voltage

スピンドル制御電源電圧 Spindle Control power supply voltage

V_MACT

5.0

PreVcc

6.0

SPVcc

4.5

5.0

本品は外国為替及び外国貿易管理法に定める戦略物資(または役務)該当するか否かを判定しておりませんので、輸出する場合にはご確認ください。

耐放射線設計はしておりません。

This product has not been checked for the strategic materials (or service) defined in the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Low of Japan so that a verification work is required before exporting it.

Not designed for radiation resistance.

REV. A

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD797	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BD797	INTERSIL	获取价格	EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS
BD79716	MOTOROLA	获取价格	7A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD79716A	MOTOROLA	获取价格	7A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD797A	MOTOROLA	获取价格	7A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD797AF	MOTOROLA	获取价格	7A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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BD797C	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
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