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BD788

更新时间： 2024-01-08 05:11:33
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 151K
描述
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

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BD788 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-225
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.25
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-225JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

BD788 数据手册

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*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
V
60  
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
I
100  
µAdc  
CEO  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 20 Vdc, I = 0)  
B
= 30 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 80 Vdc, V  
= 40 Vdc, V  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc, T = 125°C)  
—
—
1.0  
0.1  
µAdc  
mAdc  
BE(off)  
BE(off)  
C
Emitter Cutoff Current  
(V = 6.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
µAdc  
EBO  
EB  
C
ON CHARACTERISTICS(1)  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(I = 200 mAdc, V  
CE  
= 3.0 Vdc)  
40  
25  
20  
5.0  
250  
—
—
C
(I = 1.0 Adc, V  
= 3.0 Vdc)  
= 3.0 Vdc)  
= 3.0 Vdc)  
C
CE  
CE  
CE  
(I = 2.0 Adc, V  
C
(I = 4.0 Adc, V  
—
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = 500 mAdc, I = 50 mAdc)  
V
Vdc  
CE(sat)  
—
—
—
—
0.4  
0.6  
0.8  
2.5  
C
B
(I = 1.0 Adc, I = 100 mAdc)  
C
C
B
B
B
(I = 2.0 Adc, I = 200 mAdc)  
(I = 4.0 Adc, I = 800 mAdc)  
C
Base–Emitter Saturation Voltage  
(I = 2.0 Adc, I = 200 mAdc)  
V
—
2.0  
Vdc  
Vdc  
BE(sat)  
C
B
Base–Emitter On Voltage  
(I = 2.0 Adc, V = 3.0 Vdc)  
V
BE(on)  
—
1.8  
C
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
50  
—
MHz  
pF  
T
(I = 100 mAdc, V  
C
= 10 Vdc, f = 10 MHz)  
CE  
Output Capacitance  
C
ob  
(V  
CB  
= 10 Vdc, I = 0)  
(f = 0.1 MHz)  
BD787  
BD788  
—
—
50  
70  
C
Small–Signal Current Gain  
h
fe  
10  
—
—
(I = 200 mAdc, V = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
C
CE  
* Indicates JEDEC Registered Data  
(1) Pulse Test; Pulse Width 300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
500  
+ 30 V  
V
CC  
300  
200  
V
I
= 30 V  
CC  
/I = 10  
25 µs  
R
C
C B  
+ 11 V  
0
T
= 25°C  
J
SCOPE  
100  
t
R
r
B
70  
50  
– 9.0 V  
t , t 10 ns  
51  
D
1
30  
20  
r
f
t
@ V = 5.0 V  
BE(off)  
d
DUTY CYCLE = 1.0%  
– 4 V  
R
AND R VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS  
B
C
BD787 (NPN)  
BD788 (PNP)  
10  
D
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:  
1
7.0  
5.0  
1N5825 USED ABOVE I  
100 mA  
100 mA  
B
MSD6100 USED BELOW I  
0.04 0.06  
0.1  
0.2  
0.4 0.6  
1.0  
2.0  
4.0  
B
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES.  
I
, COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 2. Switching Time Test Circuit  
Figure 3. Turn–On Time  
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
123456

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