BD788

更新时间： 2024-01-07 07:21:01

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	151K
描述
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

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BD788 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-225
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-225	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

BD788 数据手册

NPN

BD787

BD788

400

300

200

= 1.0 V

= 3.0 V

= 1.0 V

= 3.0 V

= 150

= 150°C

100

200

25°C

–55°C

100

–55°C

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4 0.6

1.0

2.0

4.0

0.04 0.06

0.1

0.2

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

0.4 0.6

1.0

2.0

4.0

, COLLECTOR CURRENT (AMP)

Figure 8. DC Current Gain

2.0

1.6

1.2

2.0

1.6

1.2

= 25°C

T = 25°C

@ I /I = 10

C B

BE(sat)

@ I /I = 10

C B

BE(sat)

0.8

0.4

0.8

0.4

@ V = 3.0 V

BE(on)

@ I /I = 10

C B

@ I /I = 10

C B

CE(sat)

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4 0.6

1.0

2.0

4.0

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4 0.6

1.0

2.0

4.0

, COLLECTOR CURRENT (AMP)

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

Figure 9. “On” Voltages

+2.5

*APPLIESFORI /I

≤

*APPLIESFORI /I ≤h

C B FE/3

C B

FE/3

+2.0

+1.5

+2.0

+1.5

+1.0

+0.5

+1.0

25°C to 150°C

FOR V

VC CE(sat)

CE(sat)

+0.5

C to 150

– 55°C to 25°C

– 55°C to 25°

–0.5

–1.0

–1.5

–2.0

–2.5

–0.5

–1.0

25°C to 150°C

FOR V

0.1

FOR V

0.1

–1.5

–2.0

–2.5

– 55°C to 25°

– 55°C to 25

°C

0.04 0.06

0.2

0.4 0.6

1.0

2.0

4.0

0.04 0.06

0.2

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

0.4

0.6

1.0

2.0

4.0

, COLLECTOR CURRENT (AMP)

Figure 10. Temperature Coefficients

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

1 2 345 6

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