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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.18 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD678AG | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons |
|
| BD678ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD678AS | ONSEMI |
获取价格 |
4.0 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-BLKBG |
|
| BD678AS | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD678G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons |
|
| BD678LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD678P | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington PNP 60V 4A 3-Pin TO-126 |
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| BD679 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Darligton Power Transistors |
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| BD679 | COMSET |
获取价格 |
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS |
|
| BD679 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Darligton Power Transistors |
|
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