是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | LCC-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.1 |
接口集成电路类型: | INTERFACE CIRCUIT | JESD-30 代码: | S-PQCC-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.51 mm |
湿度敏感等级: | 3 | 标称负供电电压: | -15 V |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 28 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.3815 mm | 最大供电电压: | 5.25 V |
最小供电电压: | 4.75 V | 标称供电电压: | 5 V |
电源电压1-最大: | 16.5 V | 电源电压1-分钟: | 11.4 V |
电源电压1-Nom: | 15 V | 表面贴装: | YES |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 11.51 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BD429B-G | DEIAZ |
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ARINC 429 Line Driver for HI speed (100 kHz) and LOW speed (12.5 kHz) data rates | |
BD429-G | DEIAZ |
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ARINC 429 Line Driver for HI speed (100 kHz) and LOW speed (12.5 kHz) data rates | |
BD430 | INFINEON |
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PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR | |
BD433 | MCC |
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NPN Silicon Power Transistors | |
BD433 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BD433 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (NPN) | |
BD433 | COMSET |
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SILICON NPN POWER TRANSISTORS | |
BD433 | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ | |
BD433 | STMICROELECTRONICS |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | |
BD433 | INFINEON |
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NPN SILICON EPIBASE TRANSISTORS |