5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.65 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 22 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 参考标准： | TS 16949 | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD433_03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| BD433_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
| BD433A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk |
|
| BD433B | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk |
|
| BD433-BP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD433-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BD433LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD433M2EFJ-C | ROHM |
获取价格 |
BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ |
|
| BD433M2EFJ-CE2 | ROHM |
获取价格 |
Fixed Positive LDO Regulator, 3.3V, 0.45V Dropout, PDSO8, HTSOP-8 |
|
| BD433M2FP3-C | ROHM |
获取价格 |
BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ |
|
解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
一文AO3400引脚图、参数、产品特性
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
