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BD433S

更新时间： 2024-12-01 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
NPN外延硅晶体管

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BD433S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：TO-126, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：0.93
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：22 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：36 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD433S 数据手册

 浏览型号BD433S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD433S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD433S的Datasheet PDF文件第4页 
BD435, BD437, BD439,  
BD441  
Plastic Medium Power  
Silicon NPN Transistor  
This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors can be  
used for amplifier and switching applications. Complementary types  
are BD438 and BD442.  
http://onsemi.com  
4.0 AMPERES  
POWER TRANSISTORS  
NPN SILICON  
Features  
• Pb−Free Packages are Available*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
TO−225AA  
CASE 77  
STYLE 1  
Collector−Emitter Voltage  
BD435  
BD437  
BD439  
BD441  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
32  
45  
60  
80  
Vdc  
3
2
1
Collector−Base Voltage  
BD435  
BD437  
BD439  
BD441  
32  
45  
60  
80  
Vdc  
MARKING DIAGRAM  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
Base Current  
5.0  
4.0  
1.0  
Vdc  
Adc  
Adc  
YWW  
BD4xxG  
I
C
I
B
BD4xx = Device Code  
xx = 35, 37, 37T, 39, 41  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
36  
288  
W
W/°C  
C
D
Derate above 25°C  
Y
= Year  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
ORDERING INFORMATION  
Symbol  
Max  
Unit  
Device  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
q
3.5  
°C/W  
JC  
BD435  
TO−225AA  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
BD435G  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
BD437  
TO−225AA  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
BD437G  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
BD437T  
TO−225AA  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
BD437TG  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
BD439  
TO−225AA  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
BD439G  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
BD441  
TO−225AA  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
BD441G  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
October, 2005− Rev. 14  
BD437/D  
1234

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与BD433S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD433S_11 FAIRCHILD

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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BD433S2EFJ-C ROHM

获取价格

 		The BD4xxS2-C series are low quiescent regulators featuring 45V absolute maximum voltage,
BD433S2EFJ-C (新产品) ROHM

获取价格

 		The BD4xxS2-C series are low quiescent regula
BD433S2FP3-C ROHM

获取价格

 		The BD4xxS2-C series are low quiescent regulators featuring 45V absolute maximum voltage,
BD433S2FP3-C (新产品) ROHM

获取价格

 		The BD4xxS2-C series are low quiescent regula
BD433S2WEFJ-C ROHM

获取价格

 		The BD4xxS2-C series are low quiescent regulators featuring 45V absolute maximum voltage,
BD433S2WEFJ-C (新产品) ROHM

获取价格

 		The BD4xxS2-C series are low quiescent regula
BD433S2WFP3-C ROHM

获取价格

 		The BD4xxS2-C series are low quiescent regulators featuring 45V absolute maximum voltage,
BD433S2WFP3-C (新产品) ROHM

获取价格

 		The BD4xxS2-C series are low quiescent regula
BD433S5EFJ-C ROHM

获取价格

 		BD433S5EFJ-C is low quiescent regulators featuring 45V absolute maximum voltage, and outpu

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