BD434

更新时间： 2024-01-09 08:30:09

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	46K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD434 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-126
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.22	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	22 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD434 数据手册

BD434/436/438

Medium Power Linear and Switching

Applications

•

Complement to BD433, BD435 and BD437 respectively

TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

CBO

: BD434

: BD436

: BD438

- 22

- 32

- 45

CES

CEO

EBO

: BD434

: BD436

: BD438

- 22

- 32

- 45

: BD434

: BD436

: BD438

- 22

- 32

- 45

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

- 5

- 4

*Collector Current (Pulse)

Base Current

- 7

- 1

Collector Dissipation (T =25°C)

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 65 ~ 150

STG

Rev. A1, June 2001

12 3 4 5

下载PDF

与BD434相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD434A	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD434B	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD434-B	MCC	Transistor	获取价格
BD434-BP-HF	MCC	Power Bipolar Transistor,	获取价格
BD434C	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD434LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格