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BD434

更新时间： 2024-01-10 12:08:47

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美微科 - MCC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	260K
描述
PNP Silicon Power Transistors

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BD434 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-126
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.22	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	22 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD434 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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BD434/BD436/BD438

Micro Commercial Components

Features

•

Intended for use in medium power near and switching applications

With TO-126 package

PNP Silicon

Power Transistors

The complementary NPN type is BD433, BD435, BD437

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Marking: Type Number

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

Rating

Collector-Emitter Voltage

Rating

-22

Unit

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

-32

-45

-22

-32

-45

ꢀ

V_CBO

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_EBO

ꢀ

-5.0

I_C

P_C

T_J

Collector Current

-4.0

1.25

-55 to +150

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T_STG

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-10mAdc, I_B=0)

BD434

BD436

BD438

-22

-32

-45

---

Vdc

V_(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc, I_E=0)

BD434

BD436

BD438

-22

-32

-45

---

Vdc

PIN 1.

PIN 2.

PIN 3.

EMITTER

COLLECTOR

BASE

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-1mAdc, I_C=0)

-5

---

DIMENSIONS

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-22Vdc,I_E=0)

(V_CB=-32Vdc,I_E=0)

(V_CB=-45Vdc,I_E=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CE=-22Vdc,I_E=0)

(V_CE=-32Vdc,I_E=0)

(V_CE=-45Vdc,I_E=0)

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=-5.0Vdc, I_C=0)

BD434

BD436

BD438

---

-100

uAdc

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

ꢇꢀꢁꢆ

ꢇꢇꢆ

ꢈꢀꢇꢆ

ꢉꢆ

ꢍ

ꢇꢉꢊꢆ

0.307ꢆ

0.433

0.618

ꢎꢏꢐꢒ1

0.126

0.034

0.054

ꢇꢀꢁꢆ

ꢇꢉꢊꢆ

ꢁꢋꢌꢄꢆ

0.291

0.417

0.602

ꢎꢏꢐꢑ4

0.118

0.026

0.046

7.40

10.60

7.80

11.00

15.70

4.10

3.20

0.86

1.37

I_CEO

ꢂꢆ

ꢈꢆ

ꢄꢆ

ꢓ

15.30

3.90

3.00

0.66

1.17

BD434

BD436

BD438

---

-100

-1.0

uAdc

I_EBO

ꢔ

mAdc

ꢕꢆ

0.090TYP

0.098

2.290TYP

ꢖꢆ

0.114

2.50

2.90

2.30

0.30

1.50

0.60

0.083

0.000

0.043

0.091

0.012

0.059

2.10

0.00

1.10

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.

0.018

0.024

0.45

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

12 3

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与BD434相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD434A	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD434B	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD434-B	MCC	Transistor	获取价格
BD434-BP-HF	MCC	Power Bipolar Transistor,	获取价格
BD434C	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD434LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格

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