Datasheet > BD434

BD434

更新时间： 2024-02-27 11:52:41

品牌	Logo	应用领域
TRSYS		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	70K
描述
EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD434 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-126
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.22	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	22 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD434 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

BD433

BD435

BD437

BD439

BD441

NPN

BD434

BD436

BD438

BD440

BD442

PNP

TO126

Plastic Package

Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

BD433

BD434

BD435

BD436

BD437

BD438

BD439

BD440

BD441

BD442

UNIT

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

5.0

4.0

7.0

1.0

Collector Current

I_CM

Collector Peak Current (t=10ms

I_B

Base Current

Total Dissipation @ T_C=25ºC

Total Dissipation @ T_a=25ºC

Derate above 25ºC

P_D

36.0

1.25

mW/ ºC

Operating and Storage

Junction Temperature Range

T_j, T_stg

- 65 to 150

ºC

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

R_{th (j-c)}

R_{th (j-a)}

ºC/W

3.5

Junction to Ambient in free air

100

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25ºC unless specified otherwise)

TEST CONDITION

DESCRIPTION

SYMBOL

BD433 BD435 BD437 BD439 BD441

BD434 BD436 BD438 BD440 BD442

UNIT

V_CB=Rated V_CBO,I_E=0

V_BE=0, V_CE=Rated V_CES

V_EB=5V_,I_C=0

I_CBO

I_CES

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

<100 <100 <100

<100

<1.0

>60

<100

<1.0

>80

I_EBO

<1.0

>22

<1.0

>32

<1.0

>45

I_C=100mA, I_B=0

*V_{CEO (sus)}

Collector Emitter Sustaining

Voltage

I_C=2.0A, I_B=0.2A

*V_{CE (sat)}

<0.5

<0.6

<0.8

Collector Emitter Saturation

Voltage

I_C=10mA, V_CE=5V ALL

*V_{BE (on)}

Base Emitter On Voltage

typ 0.58

<1.2

I_C=2.0A, V_CE=1V

<1.1

<1.5

12 3

下载PDF

与BD434相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD434A	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD434B	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD434-B	MCC	Transistor	获取价格
BD434-BP-HF	MCC	Power Bipolar Transistor,	获取价格
BD434C	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD434LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格