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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SIP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 22 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD433_03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD433_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| BD433A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk |
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| BD433B | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk |
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| BD433-BP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD433-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| BD433LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD433M2EFJ-C | ROHM |
获取价格 |
BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ |
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| BD433M2EFJ-CE2 | ROHM |
获取价格 |
Fixed Positive LDO Regulator, 3.3V, 0.45V Dropout, PDSO8, HTSOP-8 |
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| BD433M2FP3-C | ROHM |
获取价格 |
BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ |
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