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BD433 PDF预览

BD433

更新时间： 2024-11-30 20:41:23
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CENTRAL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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BD433 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.13最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：22 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：36 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD433 数据手册

 浏览型号BD433的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
TO-126 Case  
Top View  
Bottom View  
TYPE NO.  
I
P
BV  
BV  
h
@ I  
V
@ I  
f
T
(MHz)  
C
D
CBO  
CEO  
FE  
C
CE(SAT)  
(V)  
C
(A)  
(W)  
(V)  
(V)  
(mA)  
(A)  
NPN  
PNP  
MAX  
1.0  
1.0  
1.0  
4.0  
4.0  
4.0  
0.5  
0.5  
0.5  
4.0  
4.0  
4.0  
1.5  
1.5  
1.5  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
2.0  
2.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
0.05  
0.05  
MIN  
40  
MIN  
40  
MIN  
MAX  
150  
150  
150  
100  
100  
80  
MAX  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
2.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.8  
0.8  
0.8  
0.6  
0.6  
0.6  
0.5  
0.5  
0.6  
0.8  
0.8  
2.5  
2.8  
2.5  
2.8  
2.5  
2.8  
2.5  
2.5  
0.6  
0.6  
MIN  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
2.0  
2.0  
10  
2N4921  
2N4922  
2N4923  
2N5190  
2N5191  
2N5192  
2N5655  
2N5656  
2N5657  
2N6037  
2N6038  
2N6039  
BD135  
BD137  
BD139  
BD175  
BD177  
BD179  
BD233  
BD235  
BD237  
BD433  
BD435  
BD437  
BD439  
BD441  
BD675  
BD675A  
BD677  
BD677A  
BD679  
BD679A  
BD681  
BD683  
BF469  
BF471  
2N4918  
2N4919  
2N4920  
2N5193  
2N5194  
2N5195  
30  
30  
30  
30  
30  
25  
25  
20  
30  
30  
30  
500  
500  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
1.5  
1.5  
0.1  
0.1  
0.1  
2.0  
2.0  
2.0  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
1.5  
2.0  
1.5  
2.0  
1.5  
2.0  
1.5  
1.5  
0.03  
0.03  
60  
60  
30  
80  
80  
500  
40  
40  
40  
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1,500  
1,500  
100  
40  
60  
60  
40  
80  
80  
20  
275  
325  
375  
40  
250  
300  
350  
40  
250  
250  
250  
20  
100  
10  
20  
100  
10  
2N6034  
2N6035  
2N6036  
BD136  
BD138  
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BD176  
BD178  
BD180  
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BD236  
BD238  
BD434  
BD436  
BD438  
BD440  
BD442  
BD676  
BD676A  
BD678  
BD678A  
BD680  
BD680A  
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BD684  
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BF472  
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750 15,000 2,000  
750 15,000 2,000  
25  
40  
60  
60  
25  
40  
80  
80  
25  
12.5  
12.5  
12.5  
30  
45  
45  
63  
63  
250  
250  
250  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
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- -  
- -  
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- -  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
10  
- -  
60  
60  
- -  
100  
45  
80  
63  
- -  
45  
40  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
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30  
60  
60  
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30  
80  
80  
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60  
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25  
80  
80  
40  
36  
22  
22  
40  
36  
32  
32  
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45  
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10  
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60  
20  
10  
36  
80  
80  
15  
10  
40  
45  
45  
750  
750  
750  
750  
750  
750  
750  
750  
50  
1.5  
40  
45  
45  
2.0  
40  
60  
60  
1.5  
40  
60  
60  
2.0  
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80  
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40  
80  
80  
2.0  
40  
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120  
250  
300  
100  
120  
250  
300  
1.5  
40  
1.5  
1.25  
1.25  
0.025  
0.025  
50  
60  
Shaded areas indicate Darlington.  
(6-December 2004)  
www.centralsemi.com  
12

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与BD433相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD433_03 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD433_11 FAIRCHILD

获取价格

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BD433A NJSEMI

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BD433B NJSEMI

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BD433-BP MCC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD433-BP-HF MCC

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BD433M2EFJ-C ROHM

获取价格

 		BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ
BD433M2EFJ-CE2 ROHM

获取价格

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BD433M2FP3-C ROHM

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 		BD4xxM2-C系列是45V耐压、输出电压精度±2％、输出电流200mA、消耗电流40µ

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