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BD433

更新时间： 2024-02-11 12:22:30

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描述
SILICON NPN POWER TRANSISTORS

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BD433 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	22 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	TS 16949	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD433 数据手册

NPN BD433 – BD435 – BD437

SILICON NPN POWER TRANSISTORS.

The BD433-BD435-BD437 are NPN Transistors mounted in Jedec TO-126 plastic package.

They are recommended for use in medium power linear and switching applications.

PNP complements are BD434-BD436-BD438.

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

Ratings

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Value

Unit

BD433

BD435

BD437

BD433

BD435

BD437

V_CEO

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

P_C

T_J

T_Stg

Emitter-Base Voltage (I_c= 0)

Collector Current

Collector Current Peak

Base Current

Total power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T_C= 25°C

°C

150

-65 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJ-c

R_thJ-a

Thermal Resistance, Junction-Case

Thermal Resistance, Junction-ambient in free air

3.5

100

°C/W

25/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 3

12 3

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与BD433相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD433_03	STMICROELECTRONICS	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD433_11	FAIRCHILD	NPN Epitaxial Silicon Transistor	获取价格
BD433A	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD433B	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD433-BP	MCC	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
BD433-BP-HF	MCC	Power Bipolar Transistor,	获取价格