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BD433

更新时间： 2024-01-15 19:30:09

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页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD433 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	22 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	TS 16949	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD433 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD433/435/437

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type BD434/436/438

APPLICATIONS

·For medium power linear and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD433

BD435

BD437

BD433

BD435

BD437

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter -base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Base current

Open collector

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

12 3

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与BD433相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD433_03	STMICROELECTRONICS	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD433_11	FAIRCHILD	NPN Epitaxial Silicon Transistor	获取价格
BD433A	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD433B	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk	获取价格
BD433-BP	MCC	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
BD433-BP-HF	MCC	Power Bipolar Transistor,	获取价格