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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.47 | 其他特性： | LOW LEAKAGE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 12.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD137_15 | UTC |
获取价格 |
NPN POWER TRANSISTORS |
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| BD13710 | CJ |
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Transistor |
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| BD13710 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
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| BD137-10 | INFINEON |
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NPN SILICON TRANSISTORS |
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| BD137-10 | COMSET |
获取价格 |
Transistor |
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| BD137-10 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
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| BD137-10 | NXP |
获取价格 |
NPN power transistors |
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| BD13710S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
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| BD13710S | ONSEMI |
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1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
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| BD13710STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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