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BD137-10 PDF预览

BD137-10

更新时间： 2024-11-11 21:17:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 340K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

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BD137-10 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SIP
包装说明：TO-126, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.31
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：63JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：12.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：190 MHzBase Number Matches：1

BD137-10 数据手册

 浏览型号BD137-10的Datasheet PDF文件第2页 
BD135  
BD137  
BD139  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SILICON  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD135, BD137,  
and BD139 are silicon NPN epitaxial planar transistors  
designed for audio amplifier and switching applications.  
NPN TRANSISTORS  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-126 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL BD135  
BD137  
BD139  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Peak Base Current  
V
V
V
45  
45  
60  
60  
5.0  
1.5  
2.0  
0.5  
1.0  
8.0  
100  
80  
V
V
V
A
A
A
A
W
W
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
I
B
I
BM  
Power Dissipation (T <70°C)  
P
P
mb  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
A
1.25  
-65 to +150  
10  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
°C  
°C/W  
°C/W  
J
stg  
Jmb  
JA  
Θ
Thermal Resistance  
Θ
100  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=30V  
=30V (T =125°C)  
=5.0V  
100  
10  
100  
nA  
CBO  
CBO  
EBO  
CEO  
CEO  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
CB  
CB  
EB  
μA  
nA  
V
V
V
C
BV  
BV  
BV  
V
V
h
h
h
I =30mA (BD135)  
45  
60  
80  
C
I =30mA (BD137)  
C
I =30mA (BD139)  
C
I =500mA, I =50mA  
0.5  
1.0  
V
V
C
B
C
C
C
C
C
V
=2.0V, I =500mA  
=2.0V, I =5.0mA  
=2.0V, I =150mA  
=2.0V, I =500mA  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
V
40  
63  
25  
250  
FE  
FE  
f
=5.0V, I =50mA, f=100MHz  
190  
MHz  
T
BD135-10  
BD137-10  
BD139-10  
BD135-16  
BD137-16  
BD139-16  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=2.0V, I =500mA  
MIN  
63  
MAX  
160  
MIN  
100  
MAX  
250  
h
V
FE  
CE  
C
R4 (13-March 2014)  
12

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与BD137-10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD13710S FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD13710S ONSEMI

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 		1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
BD13710STU FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BD13710STU ONSEMI

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 		1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
BD13710STU_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD13716 FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD137-16 NXP

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 		NPN power transistors
BD13716S FAIRCHILD

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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BD13716S ONSEMI

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 		1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
BD13716STU FAIRCHILD

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