BD13716STU

更新时间： 2024-11-11 12:34:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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5页	142K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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BD13716STU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-126
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	12.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD13716STU 数据手册

August 2013

BD135 / 137 / 139

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features

• Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively

Applications

• Medium Power Linear and Switching

TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base

Ordering Information

Part Number

BD13516S

Marking

BD135-16

BD135-6

Package

Packing Method

Bulk

BD1356STU

BD13510STU

BD13516STU

BD13716STU

BD13710STU

BD13716S

BD135-10

BD135-16

BD137-16

BD137-10

BD137-16

BD139-16

BD139-10

BD139-16

BD139-6

Rail

TO-126 3L

Bulk

Rail

BD13916STU

BD13910S

Bulk

Rail

BD13916S

BD1396STU

BD13910STU

BD139-10

BD135 / 137 / 139 Rev. 1.2.0

www.fairchildsemi.com

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BD13716STU 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BD13716S	FAIRCHILD	类似代替	NPN Epitaxial Silicon Transistor

与BD13716STU相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD13716STU_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD137-25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
BD1376	CJ	获取价格	Transistor
BD137-6	INFINEON	获取价格	NPN SILICON TRANSISTORS
BD137-6-BP	MCC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD137-6-BP-HF	MCC	获取价格	Power Bipolar Transistor,
BD1376S	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD1376STU	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD137G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD137G-10-T60-K	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor