5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 13 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD13710S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
|
| BD13710S | ONSEMI |
获取价格 |
1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
|
| BD13710STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
| BD13710STU | ONSEMI |
获取价格 |
1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
|
| BD13710STU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
|
| BD13716 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
|
| BD137-16 | NXP |
获取价格 |
NPN power transistors |
|
| BD13716S | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
| BD13716S | ONSEMI |
获取价格 |
1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
|
| BD13716STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
