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BD137

更新时间： 2024-01-31 09:41:19

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1页	126K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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BD137 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SIP
包装说明：	TO-126, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.13
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	190 MHz
Base Number Matches：	1

BD137 数据手册

RoHS

BD135/137/139

BD135/BD137/BD139 TRANSISTOR (NPN)

TO-126

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

1.25

1.5

W (Tamb=25℃)

1. EMITTER

Collector current

I_CM:

2. COLLECTOR

3. BASE

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

BD135

MIN

TYP

MAX

UNIT

V_(BR)CBO

Collector-base breakdown voltage

BD137

BD139

BD135

BD137

BD139

Ic=100µA, I_E=0

Ic=30mA, I_B=0

V_(BR)CEO

Collector-emitter breakdown voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_E=100µA, I_C=0

_CB=30V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

_CE=2V, I_C=5mA

µA

0.1

I_EBO

h_FE(1)

BD135

250

160

DC current gain

h_FE(2)

_CE=2V, I_C=150mA

BD137/BD139

h_FE(3)

V_CE(sat)

V_BE

_CE=2V, I_C=500mA

I_C=500mA, I_B=50mA

_CE=2V, I_C=500mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.5

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

CLASSIFICATION OF h_FE(2)

Rank

Range

40-100

63-160

100-250

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD137_15	UTC	NPN POWER TRANSISTORS	获取价格
BD13710	JCST	Transistor	获取价格
BD13710	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti	获取价格
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BD137-10	COMSET	Transistor	获取价格
BD137-10	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti	获取价格