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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.59 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 配置： | Single | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.345 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCY65E | INFINEON |
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npn silicon planar transistors |
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| BCY65E | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 |
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| BCY65EAD | ZETEX |
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Transistor |
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| BCY65EADWP | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.015 X 0.015 INCH |
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| BCY65EIX | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| BCY65EPK | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| BCY65EPL | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
|
| BCY65EPM1TA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
|
| BCY65EPM1TC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
|
| BCY65EPQ | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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