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BCY65-VIII

更新时间: 2024-09-11 19:06:31
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恩智浦 - NXP 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 64K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, BIP General Purpose Small Signal

BCY65-VIII 技术参数

生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.7
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.2 A基于收集器的最大容量:6 pF
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):45JEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):125 MHz
最大关闭时间(toff):800 ns最大开启时间(吨):150 ns
VCEsat-Max:0.7 VBase Number Matches:1

BCY65-VIII 数据手册

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