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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCY69 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-18, BIP General Purpose Small Sig |
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| BCY69 | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 |
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| BCY70 | SEME-LAB |
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GENERAL PURPOSE PNP SILICON TRANSISTOR |
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| BCY70 | NXP |
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PNP general purpose transistors |
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| BCY70 | STMICROELECTRONICS |
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GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS |
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| BCY70 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTORS |
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| BCY70 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| BCY70 | COMSET |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
|
| BCY70 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 40V 3-Pin TO-18 Box |
|
| BCY70 |
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General Purpose PNP Silicon Transistor |
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