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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 配置： | Single |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCY65EAD | ZETEX |
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Transistor |
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| BCY65EADWP | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.015 X 0.015 INCH |
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| BCY65EIX | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| BCY65EPK | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| BCY65EPL | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| BCY65EPM1TA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| BCY65EPM1TC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| BCY65EPQ | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| BCY65EPSTOA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| BCY65EPSTOB | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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