5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.7 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 800 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 150 ns | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCY65-VIII | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, BIP General Purpose Smal |
|
| BCY66 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Planar Transistor |
|
| BCY67 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Planar Transistor |
|
| BCY69 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-18, BIP General Purpose Small Sig |
|
| BCY69 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 |
|
| BCY70 | SEME-LAB |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| BCY70 | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose transistors |
|
| BCY70 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS |
|
| BCY70 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTORS |
|
| BCY70 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
