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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.21 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 800 ns | 最大开启时间（吨）： | 150 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCY65EPSTZ | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| BCY65EVII | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| BCY65EVIII | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| BCY65Eザ | INFINEON |
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npn silicon planar transistors |
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| BCY65Eシ | INFINEON |
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npn silicon planar transistors |
|
| BCY65Eジ | INFINEON |
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npn silicon planar transistors |
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| BCY65-IX | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, BIP General Purpose Smal |
|
| BCY65-VII | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, BIP General Purpose Smal |
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| BCY65-VIII | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, BIP General Purpose Smal |
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| BCY66 | INFINEON |
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NPN Silicon Planar Transistor |
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