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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.07 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 215 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW30TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW30TR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW30TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW30TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW30TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW30TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW30TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW31 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| BCW31 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
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| BCW31 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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