BCW31

更新时间： 2024-01-16 13:05:42

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CENTRAL		晶体晶体管
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SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR

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BCW31 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.09	其他特性：	LOW NOISE
基于收集器的最大容量：	2.5 pF	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

BCW31 数据手册

BCW31

www.centralsemi.com

SURFACE MOUNT

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCW31,

manufactured in the popular SOT-23 Surface Mount

package, is an NPN General Purpose Switching and

Amplification Transistor, suitable for applications requiring

collector currents up to 100mA.

MARKING CODE: D1

SOT-23 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Collector-Base Voltage

CBO

CEO

EBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

5.0

Continuous Collector Current

Power Dissipation

100

°C

350

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

T , T

-65 to +150

357

stg

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

UNITS

I =10μA

CBO

CEO

I =2.0mA

I =10μA

5.0

EBO

I =10mA, I =0.5mA

0.25

0.70

220

4.0

CE(SAT)

BE(ON)

=5.0V, I =2.0mA

0.55

110

=5.0V, I =2.0mA

=10V, I =0, f=1.0MHz

I =0.2mA, V =5.0V, R =2.0kΩ,

f=1.0MHz, BW=200Hz

R3 (20-November 2009)

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