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BCW31

更新时间： 2024-02-12 21:52:26

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	40K
描述
NPN General Purpose Transistors

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BCW31 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.09	其他特性：	LOW NOISE
基于收集器的最大容量：	2.5 pF	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

BCW31 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

NPN General Purpose Transistors

BCW31,BCW32,BCW33

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Low current (max. 100 mA).

Low voltage (max. 32 V).

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

100

Peak collector current

I^CM

200

Peak base current

I^BM

200

Total power dissipation

P^tot

250

Storage temperature

T^stg

-65 to +150

150

Junction temperature

Operating ambient temperature

Thermal resistance from junction to ambient *

* Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

Ramb

Rth j-a

-65 to +150

500

K/W

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCW31,215	NXP	获取价格	BCW31; BCW32; BCW33 - NPN general purpose transistors TO-236 3-Pin
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BCW31BK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BCW31BKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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