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BCW31

更新时间： 2024-02-24 10:20:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	30K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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BCW31 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.09	其他特性：	LOW NOISE
基于收集器的最大容量：	2.5 pF	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

BCW31 数据手册

BCW31

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

SOT-23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25

)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation

Storage Temperature

V_CBO

100

350

150

V_CEO

V_EBO

I_C

P_C

T_STG

• Refer to KST5088 for graphs

1. Base 2. Emitter 3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25

)

Characteristic

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_C=10 , I_E=0

I_C=2mA, I_B=0

I_E=10 , I_C=0

V_CE=5V, I_C=2mA

I_C=10mA, I_B=0.5mA

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

V_CE(sat)

V_BE(on)

C_OB

110

220

0.25

0.7

_CE=5V, I_C=2mA

_CB=10V, I_E=0

0.55

Output Capacitance

f=1MHz

_CE=5V, I_C=0.2mA

R_G=2 , f=1KHz

Noise Figures

Rev. B

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BCW31 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCW31	NEXPERIA	功能相似	NPN general purpose transistorsProduction

与BCW31相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCW31,215	NXP	获取价格	BCW31; BCW32; BCW33 - NPN general purpose transistors TO-236 3-Pin
BCW31/T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR SMD KLEINSIGNAL UNIVERSAL
BCW31_02	DIOTEC	获取价格	NPN General Purpose Amplifier
BCW31_02	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
BCW31_07	DIOTEC	获取价格	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
BCW31_33	ETC	获取价格
BCW31_98	KEC	获取价格	SOT-23 PACKAGE
BCW31BK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BCW31BKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BCW31D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon