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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.07 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 215 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW30TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW30TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCW30TRLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCW31 | FAIRCHILD |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| BCW31 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
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| BCW31 | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BCW31 | TYSEMI |
获取价格 |
Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 32 V).Collector-base voltage VCBO 32 V |
|
| BCW31 | NEXPERIA |
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NPN general purpose transistorsProduction |
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| BCW31 | WINNERJOIN |
获取价格 |
Low current(100mA) |
|
| BCW31 | KEXIN |
获取价格 |
NPN General Purpose Transistors |
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