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BCW31

更新时间： 2024-02-27 10:52:13

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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2页	124K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BCW31 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.09	其他特性：	LOW NOISE
基于收集器的最大容量：	2.5 pF	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

BCW31 数据手册

BCW 31, BCW 32, BCW 33

General Purpose Transistors

NPN

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BCW 31, BCW 32, BCW 33

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

32 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

200 mA

150ꢀC

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

I_BM

T_j

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, V_CB= 32 V

I_CB0

–

100 nA

10 ꢀA

I_E= 0, V_CB= 32 V, T_j= 100ꢀC

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, V_EB= 5 V

I_EB0

–

100 nA

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. ²)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

V_CEsat

–

120 mV

210 mV

250 mV

–

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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