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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.63 |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 215 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW30-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN, BIP Ge |
|
| BCW30T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, SMD, 3 |
|
| BCW30T116 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW30T117 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW30T216 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
|
| BCW30TA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW30-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCW30-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCW30TC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW30TR | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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