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BCW30T216

更新时间: 2024-01-29 11:55:30
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罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, SST, 3 PIN

BCW30T216 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.63最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:7 pF集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):210
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

BCW30T216 数据手册

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