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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.51 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 215 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCW30LT1 | ONSEMI |
完全替代  |
General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
|
| SBCW30LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
PNP Bipolar Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW30LT1H | SYNSEMI |
获取价格 |
Transistor, |
|
| BCW30LT1L | SYNSEMI |
获取价格 |
Transistor, |
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| BCW30LT3 | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| BCW30LX | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
| BCW30R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW30R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236 |
|
| BCW30RL | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, TO-236AB, 3 PIN, BIP General Purpose Small S |
|
| BCW30RLK | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
| BCW30RLO | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
| BCW30RLT | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
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