SBCW30LT1G

更新时间： 2024-09-30 11:01:35

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安森美 - ONSEMI		小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	237K
描述
PNP Bipolar Transistor

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SBCW30LT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	215
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SBCW30LT1G 数据手册

BCW30LT1G

General Purpose

Transistors

PNP Silicon

http://onsemi.com

Features

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

COLLECTOR

Compliant

BASE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

−32

Unit

Vdc

EMITTER

Collector − Emitter Voltage

Collector − Base Voltage

Emitter-Base Voltage

CEO

CBO

−32

Vdc

EBO

−5.0

−100

Vdc

Collector Current − Continuous

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Value

Unit

SOT−23 (TO−236AB)

CASE 318−08

STYLE 6

Total Device Dissipation

FR-5 Board (Note 1)

T = 25°C

225

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

556

MARKING DIAGRAM

Junction−to−Ambient

Total Device Dissipation

Alumina Substrate (Note 2)

300

C2 M G

T = 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

= Specific Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

417

Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to +150

°C

stg

(Note: Microdot may be in either location)

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.

*Date Code orientation and/or overbar may

vary depending upon manufacturing location.

2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

BCW30LT1G

SOT−23

3000/Tape & Reel

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2009

Publication Order Number:

August, 2009 − Rev. 2

BCW30LT1/D

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCW30LT1G	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors

与SBCW30LT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SBCW30LT3	ONSEMI	获取价格	100mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
SBCW33LT1G	ONSEMI	获取价格	NPN 双极晶体管
SBCW66GLT1G	ONSEMI	获取价格	NPN 双极晶体管
SBCW70LT1	ONSEMI	获取价格	100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
SBCW72LT1	ONSEMI	获取价格	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
SBCW72LT1G	ONSEMI	获取价格	NPN 双极晶体管
SBCX17LT1	ONSEMI	获取价格	500mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
SBCX19LT1	ROCHESTER	获取价格	500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
SBCX19LT1G	ONSEMI	获取价格	NPN Bipolar Transistor
SBD01	DUBILIER	获取价格	BATTERIES LITHIUM THIONYL CHLORIDE

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