SBCW30LT1G

更新时间： 2024-11-17 11:01:35

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	237K
描述
PNP Bipolar Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SBCW30LT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	215
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SBCW30LT1G 数据手册

BCW30LT1G

General Purpose

Transistors

PNP Silicon

http://onsemi.com

Features

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

COLLECTOR

Compliant

BASE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

−32

Unit

Vdc

EMITTER

Collector − Emitter Voltage

Collector − Base Voltage

Emitter-Base Voltage

CEO

CBO

−32

Vdc

EBO

−5.0

−100

Vdc

Collector Current − Continuous

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Value

Unit

SOT−23 (TO−236AB)

CASE 318−08

STYLE 6

Total Device Dissipation

FR-5 Board (Note 1)

T = 25°C

225

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

556

MARKING DIAGRAM

Junction−to−Ambient

Total Device Dissipation

Alumina Substrate (Note 2)

300

C2 M G

T = 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

= Specific Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

417

Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to +150

°C

stg

(Note: Microdot may be in either location)

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.

*Date Code orientation and/or overbar may

vary depending upon manufacturing location.

2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

BCW30LT1G

SOT−23

3000/Tape & Reel

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2009

Publication Order Number:

August, 2009 − Rev. 2

BCW30LT1/D

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

SBCW30LT1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCW30LT1G	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors

与SBCW30LT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SBCW30LT3	ONSEMI	获取价格	100mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
SBCW33LT1G	ONSEMI	获取价格	NPN 双极晶体管
SBCW66GLT1G	ONSEMI	获取价格	NPN 双极晶体管
SBCW70LT1	ONSEMI	获取价格	100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
SBCW72LT1	ONSEMI	获取价格	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
SBCW72LT1G	ONSEMI	获取价格	NPN 双极晶体管
SBCX17LT1	ONSEMI	获取价格	500mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
SBCX19LT1	ROCHESTER	获取价格	500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
SBCX19LT1G	ONSEMI	获取价格	NPN Bipolar Transistor
SBD01	DUBILIER	获取价格	BATTERIES LITHIUM THIONYL CHLORIDE

与SBCW30LT1G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

14
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

7
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

36
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SBCW30LT1G

SBCW30LT1G 技术参数

SBCW30LT1G 数据手册

SBCW30LT1G 替代型号

与SBCW30LT1G相关器件

与SBCW30LT1G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SBCW30LT1G

SBCW30LT1G 技术参数

SBCW30LT1G 数据手册

SBCW30LT1G 替代型号

与SBCW30LT1G相关器件

与SBCW30LT1G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？