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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC847BLT1G | ONSEMI |
类似代替  |
General Purpose Transistors |
|
| BC847CLT1G | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
|
| BC847ALT1G | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SBCX17LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
500mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
|
| SBCX19LT1 | ROCHESTER |
获取价格 |
500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
|
| SBCX19LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Bipolar Transistor |
|
| SBD01 | DUBILIER |
获取价格 |
BATTERIES LITHIUM THIONYL CHLORIDE |
|
| SBD10100TCTB | CJ |
获取价格 |
TO-220-3L |
|
| SBD1020T | VISHAY |
获取价格 |
Diode, |
|
| SBD1030CT | MOSPEC |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(10A,30-45V) |
|
| SBD1030KC | SWST |
获取价格 |
肖特基二极管 |
|
| SBD1030T | VISHAY |
获取价格 |
Diode, |
|
| SBD1035CT | MOSPEC |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(10A,30-45V) |
|
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