BCW30LT1G

更新时间： 2024-01-13 20:37:21

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	237K
描述
General Purpose Transistors

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BCW30LT1G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	215	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BCW30LT1G 数据手册

BCW30LT1G

NOISE FIGURE CONTOURS

(V_CE= −ꢀ5.0 Vdc, T_A= 25°C)

1.0ꢀM

500ꢀk

1.0ꢀM

BANDWIDTH = 1.0 Hz

500ꢀk

BANDWIDTH = 1.0 Hz

200ꢀk

100ꢀk

50ꢀk

200ꢀk

100ꢀk

50ꢀk

20ꢀk

10ꢀk

20ꢀk

10ꢀk

0.5 dB

5.0ꢀk

1.0 dB

2.0ꢀk

1.0ꢀk

500

2.0ꢀk

1.0ꢀk

500

2.0 dB

3.0 dB

5.0 dB

200

100

200

100

5.0 dB

20 30

50 70 100

200 300

500 700 1.0ꢀk

20 30

50 70 100

200 300

500 700 1.0ꢀk

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 3. Narrow Band, 100 Hz

Figure 4. Narrow Band, 1.0 kHz

1.0ꢀM

500ꢀk

10 Hz to 15.7 kHz

200ꢀk

100ꢀk

50ꢀk

Noise Figure is Defined as:

n S

1ń2

) 4KTR ) I

₁₀ƪ

NF + 20 log

20ꢀk

10ꢀk

4KTR

0.5 dB

= Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)

5.0ꢀk

2.0ꢀk

= Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)

−23

1.0 dB

2.0 dB

= Boltzman’s Constant (1.38 x 10

= Temperature of the Source Resistance (°K)

= Source Resistance (Ohms)

j/°K)

1.0ꢀk

500

3.0 dB

5.0 dB

200

100

20 30

50 70 100

200 300

500 700 1.0ꢀk

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 5. Wideband

http://onsemi.com

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与BCW30LT1G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCW30LT1H	SYNSEMI	Transistor,	获取价格
BCW30LT1L	SYNSEMI	Transistor,	获取价格
BCW30LT3	ROCHESTER	100mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	获取价格
BCW30LX	ALLEGRO	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB	获取价格
BCW30R	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格
BCW30R	STMICROELECTRONICS	TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236	获取价格