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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCW30LT1G
BCW30LT1G PDF预览

BCW30LT1G

更新时间： 2024-02-18 16:41:16
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 237K
描述
General Purpose Transistors

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BCW30LT1G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：215最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

BCW30LT1G 数据手册

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BCW30LT1G  
1.0  
0.7  
0.5  
D = 0.5  
0.2  
0.3  
0.2  
0.1  
0.1  
0.07  
0.05  
FIGURE 19  
DUTY CYCLE, D = t /t  
1 2  
D CURVES APPLY FOR POWER  
PULSE TRAIN SHOWN  
0.05  
P
(pk)  
0.02  
0.01  
0.03  
0.02  
READ TIME AT t (SEE AN-569)  
1
t
1
Z
T
= r(t) • R  
q
JA  
q
JA(t)  
SINGLE PULSE  
t
2
- T = P  
Z
q
(pk) JA(t)  
J(pk)  
A
0.01  
0.01 0.02  
0.05 0.1 0.2  
0.5 1.0 2.0  
5.0  
10 20  
50  
100 200  
500 1.0ꢀk 2.0ꢀk 5.0ꢀk 10ꢀk 20ꢀk  
100ꢀk  
50ꢀk  
t, TIME (ms)  
Figure 17. Thermal Response  
4
3
10  
DESIGN NOTE: USE OF THERMAL RESPONSE DATA  
V
CC  
= 30 V  
A train of periodical power pulses can be represented by the model  
as shown in Figure 19. Using the model and the device thermal  
response the normalized effective transient thermal resistance of  
Figure 17 was calculated for various duty cycles.  
10  
10  
I
CEO  
2
To find Z  
, multiply the value obtained from Figure 17 by the  
q
JA(t)  
steady state value R  
.
1
0
q
JA  
10  
I
CBO  
Example:  
AND  
@ V  
The BCW29LT1 is dissipating 2.0 watts peak under the following  
conditions:  
I
= 3.0 V  
BE(off)  
CEX  
10  
t = 1.0 ms, t = 5.0 ms (D = 0.2)  
Using Figure 17 at a pulse width of 1.0 ms and D = 0.2, the reading of  
r(t) is 0.22.  
1
2
-1  
10  
10  
-2  
The peak rise in junction temperature is therefore  
-4 -2  
0
0
+20 +40 +60 +80 +100 +120 +140 +160  
DT = r(t) x P  
x R  
= 0.22 x 2.0 x 200 = 88°C.  
q
JA  
(pk)  
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
J
For more information, see AN−569.  
Figure 18. Typical Collector Leakage Current  
http://onsemi.com  
6
1...34567

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BCW30LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCW30LT1 ONSEMI

完全替代

 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
SBCW30LT1G ONSEMI

类似代替

 PNP Bipolar Transistor

与BCW30LT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCW30LT1H SYNSEMI

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