BCW30LT1

更新时间： 2024-02-17 17:11:22

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	348K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BCW30LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	215	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BCW30LT1 数据手册

PNP Silicon

http://onsemi.com

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

–32

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current — Continuous

CEO

CBO

EBO

BASE

–32

Vdc

–5.0

–100

Vdc

EMITTER

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Total Device Dissipation

(1)

FR-5 Board

= 25°C

225

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

Junction to Ambient

556

θJA

SOT–23 (TO–236AB)

CASE 318

Total Device Dissipation

300

STYLE 6

(2)

Alumina Substrate,

T = 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

Junction to Ambient

417

θJA

DEVICE MARKING

Junction and Storage Temperature

T , T

J stg

–55 to

+150

°C

C2x

(1) FR–5 = 1.0

(2) Alumina = 0.4

0.75 0.062 in.

0.3 0.024 in. 99.5% alumina.

x = Monthly Date Code

ORDERING INFORMATION

Device

BCW30LT1

Package

Shipping

3000 Units/Rail

SOT–23

Semiconductor Components Industries, LLC, 1999

Publication Order Number:

November, 1999 – Rev. 0

BCW30LT1/D

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与BCW30LT1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCW30LT1/D	ONSEMI	General Purpose Transistors	获取价格
BCW30LT1D	ONSEMI	General Purpose Transistors	获取价格
BCW30LT1G	ONSEMI	General Purpose Transistors	获取价格
BCW30LT1H	SYNSEMI	Transistor,	获取价格
BCW30LT1L	SYNSEMI	Transistor,	获取价格
BCW30LT3	ROCHESTER	100mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	获取价格