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BCV47E6393

更新时间： 2024-11-19 03:31:35

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	74K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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BCV47E6393 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	Base Number Matches：	1

BCV47E6393 数据手册

BCV27, BCV47

NPN Silicon Darlington Transistors

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Complementary types: BCV26, BCV46 (PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

Marking

FFs

Pin Configuration

Package

SOT23

BCV27

BCV47

1=B

2=E

3=C

FGs

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

BCV27

CEO

CBO

EBO

BCV47

Collector-base voltage

BCV27

BCV47

Emitter-base voltage

Collector current

500

800

100

200

360

Peak collector current

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

°C

tot

T ≤ 74 °C

150

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

2007-04-20

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BCV47E6433HTMA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCV47Q	DIODES	获取价格	NPN, 60V, 0.5A, SOT23
BCV47-Q	NEXPERIA	获取价格	NPN Darlington transistorProduction
BCV47QTA	DIODES	获取价格	60V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23
BCV47QTC	DIODES	获取价格	60V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23
BCV47-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BCV47T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
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