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BCV48TA

更新时间： 2024-11-21 19:49:31

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	16K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BCV48TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.14	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BCV48TA 数据手册

SOT89 PNP SILICON PLANAR

DARLINGTON TRANSISTOR

BCV48

ISSUE 3 – SEPTEMBER 1995

COMPLEMENTARY TYPE –

PARTMARKING DETAIL –

✪

BCV49

SOT89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

-80

-60

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

-10

Pe ak Pu ls e Cu rren t

-800

m A

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

I_C

-500

P_{to t}

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re

Ran g e

T_j:T_{s tg}

-65 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS .

Co lle cto r-Ba s e

Bre akd o w n Vo ltag e

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-80

-60

-10

I_C=-100µA

Co lle cto r-Em itte r

Bre akd o w n Vo ltag e

I_C=-10m A*

I_E=-10µA

V_CB=-60V

Em itte r-Ba s e

Bre akd o w n Vo ltag e

Co lle cto r Cu t-Off

Cu rre n t

-100

-10

n A

µA

V_CB=-60V, T_{a m b}=150°C

Em itte r Cu t-Off Cu rren t I_EBO

-100

-1

n A

V_EB=-4V

Co lle cto r-Em itte r

S atu ra tio n Vo lta g e

V_{CE(s a t)}

I_C=-100m A, I_B-0.1m A*

Bas e -Em itte r

V_{BE(s a t)}

-1.5

I_C=-100m A, I_B=-0.1m A*

S atu ra tio n Vo lta g e

S ta tic Fo rw a rd Cu rren t h_FE

Tra n s fe r Ra tio

2000

4000

10000

2000

I_C=-100µA, V_CE=-1V†

I_C=-10m A, V_CE=-5V*

I_C=-100m A, V_CE=-5V*

I_C=-500m A, V_CE=-5V*

Tra n s itio n Fre q u e n cy

Ou tp u t Ca p a cita n ce

f_T

200

4.5

MHz

p F

I_C=-50m A, V_CE=-5V

f = 20MHz

C_{o b o}

V_CB=-10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

† Periodic Sam ple Test Only.

3 - 25

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCV48-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCV48-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCV49	DIODES	获取价格	SOT89 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
BCV49	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
BCV49	NXP	获取价格	NPN Darlington transistors
BCV49	INFINEON	获取价格	NPN Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current)
BCV49	NEXPERIA	获取价格	NPN Darlington transistorProduction
BCV49,115	NXP	获取价格	BCV29; BCV49 - NPN Darlington transistors SOT-89 3-Pin
BCV49,135	NXP	获取价格	BCV29; BCV49 - NPN Darlington transistors SOT-89 3-Pin
BCV49/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, TO-24

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