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BCV47E6393

更新时间: 2024-02-24 08:47:56
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

BCV47E6393 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:End Of Life
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.77最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):170 MHzBase Number Matches:1

BCV47E6393 数据手册

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BCV27, BCV47  
Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
typ. max.  
Unit  
min.  
AC Characteristics  
-
-
170  
3
-
-
MHz  
pF  
Transition frequency  
f
T
I = 50 mA, V = 5 V, f = 100 MHz  
C
CE  
Collector-base capacitance  
= 10 V, f = 1 MHz  
C
cb  
V
CB  
2007-04-20  
4

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